Erratum: Publisher's Note: "high-voltage field effect transistors with wide-bandgap β -Ga2O3 nanomembranes" (Applied Physics Letters (2014) 104 (203111)) / Hwang, W. S.; Verma, A.; Peelaers, H.; Protasenko, V.; Rouvimov, S.; Xing, H.; Seabaugh, A.; Haensch, W.; Walle, C. V. D.; Galazka, Z.; Albrecht, M.; Fornari, Roberto; Jena, D.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 104:24(2014). [10.1063/1.4884096]
Erratum: Publisher's Note: "high-voltage field effect transistors with wide-bandgap β -Ga2O3 nanomembranes" (Applied Physics Letters (2014) 104 (203111))
FORNARI, Roberto;
2014-01-01
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