Structural properties of Si-doped β-Ga2O3layers grown by MOVPE / Gogova, D., Wagner, G., Baldini, M., Schmidbauer, M., Irmscher, K., Schewski, R., Galazka, Z., Albrecht, M., Fornari, R.. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 401:(2014), pp. 665-669. [10.1016/j.jcrysgro.2013.11.056]

Structural properties of Si-doped β-Ga2O3layers grown by MOVPE

FORNARI, Roberto
2014-01-01

2014
Structural properties of Si-doped β-Ga2O3layers grown by MOVPE / Gogova, D., Wagner, G., Baldini, M., Schmidbauer, M., Irmscher, K., Schewski, R., Galazka, Z., Albrecht, M., Fornari, R.. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 401:(2014), pp. 665-669. [10.1016/j.jcrysgro.2013.11.056]
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