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A new approach to free-standing GaN using beta-Ga2O3 as a substrate / K., Kachel; M., Korytov; D., Gogova; Z., Galazka; M., Albrecht; R., Zwierz; D., Siche; S., Golka; A., Kwasniewski; M., Schmidbauer; Fornari, Roberto. - In: CRYSTENGCOMM. - ISSN 1466-8033. - 14:(2012), pp. 8536-8540. [10.1039/c2ce25976a]

A new approach to free-standing GaN using beta-Ga2O3 as a substrate

FORNARI, Roberto
2012-01-01
2012
A new approach to free-standing GaN using beta-Ga2O3 as a substrate / K., Kachel; M., Korytov; D., Gogova; Z., Galazka; M., Albrecht; R., Zwierz; D., Siche; S., Golka; A., Kwasniewski; M., Schmidbauer; Fornari, Roberto. - In: CRYSTENGCOMM. - ISSN 1466-8033. - 14:(2012), pp. 8536-8540. [10.1039/c2ce25976a]
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