A new approach to free-standing GaN using beta-Ga2O3 as a substrate / K., Kachel; M., Korytov; D., Gogova; Z., Galazka; M., Albrecht; R., Zwierz; D., Siche; S., Golka; A., Kwasniewski; M., Schmidbauer; Fornari, Roberto. - In: CRYSTENGCOMM. - ISSN 1466-8033. - 14:(2012), pp. 8536-8540. [10.1039/c2ce25976a]

A new approach to free-standing GaN using beta-Ga2O3 as a substrate

FORNARI, Roberto
2012-01-01

2012
A new approach to free-standing GaN using beta-Ga2O3 as a substrate / K., Kachel; M., Korytov; D., Gogova; Z., Galazka; M., Albrecht; R., Zwierz; D., Siche; S., Golka; A., Kwasniewski; M., Schmidbauer; Fornari, Roberto. - In: CRYSTENGCOMM. - ISSN 1466-8033. - 14:(2012), pp. 8536-8540. [10.1039/c2ce25976a]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2686308
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 41
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 38
social impact