A new approach to grow C-doped GaN thick epitaxial layers / D., Gogova; G. Y., Rudko; D., Siche; M., Albrecht; K., Irmscher; H. . ., J.; Fornari, Roberto. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 8:(2011), pp. 2120-2122. [10.1002/pssc.201001005]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.