A new approach to grow C-doped GaN thick epitaxial layers / D. Gogova;G. Y. Rudko;D. Siche;M. Albrecht;K. Irmscher;H. .. J.;R. Fornari. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 8(2011), pp. 2120-2122. [10.1002/pssc.201001005]

A new approach to grow C-doped GaN thick epitaxial layers

FORNARI, Roberto
2011

A new approach to grow C-doped GaN thick epitaxial layers / D. Gogova;G. Y. Rudko;D. Siche;M. Albrecht;K. Irmscher;H. .. J.;R. Fornari. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 8(2011), pp. 2120-2122. [10.1002/pssc.201001005]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11381/2686297
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 13
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 11
social impact