Electrical properties of beta-Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method / K., I., Z., G., M., P., R., U., Fornari, R.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 110:(2011), p. 063720. [10.1063/1.3642962]
Electrical properties of beta-Ga2O3 single crystals grown by the Czochralski method
FORNARI, Roberto
2011-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


