Reduction of the dislocation density in HVPE-grown GaN epi-layers by an in situ SiNx treatment / H., Ashraf; D. V., Sridhara; D., Gogova; D., Siche; Fornari, Roberto; C. J., Humphreys; P. R., Hageman. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 312:(2010), pp. 595-600. [10.1016/j.jcrysgro.2009.11.043]
Reduction of the dislocation density in HVPE-grown GaN epi-layers by an in situ SiNx treatment
FORNARI, Roberto;
2010-01-01
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