Boron- and stoichiometry-related defect engineering during B(2)O(3)-free GaAs crystal growth / F. M., Kiessling; M., Albrecht; K., Irmscher; M., Rossberg; P., Rudolph; W., Ulrici; Fornari, Roberto. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 6:(2009), pp. 2778-2784. [10.1002/pssc.200982580]
Boron- and stoichiometry-related defect engineering during B(2)O(3)-free GaAs crystal growth
FORNARI, Roberto
2009-01-01
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