Influence of Si and S Doping On Structural Defects In Lec-grown Gallium-arsenide / L. J., Giling; J. L., Weyher; A., Montree; Fornari, Roberto; L., Zanotti. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 79:(1986), pp. 271-279. [10.1016/0022-0248(86)90448-3]

Influence of Si and S Doping On Structural Defects In Lec-grown Gallium-arsenide

FORNARI, Roberto;
1986-01-01

1986
Influence of Si and S Doping On Structural Defects In Lec-grown Gallium-arsenide / L. J., Giling; J. L., Weyher; A., Montree; Fornari, Roberto; L., Zanotti. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 79:(1986), pp. 271-279. [10.1016/0022-0248(86)90448-3]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2684689
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 20
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 22
social impact