Influence of Si and S Doping On Structural Defects In Lec-grown Gallium-arsenide / L. J., Giling; J. L., Weyher; A., Montree; Fornari, Roberto; L., Zanotti. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 79:(1986), pp. 271-279. [10.1016/0022-0248(86)90448-3]
Influence of Si and S Doping On Structural Defects In Lec-grown Gallium-arsenide
FORNARI, Roberto;
1986-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.