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Thick GaN layers were deposited by the reaction of gallium with ammonia. The Physical Vapour Transport (PVT) process with NH(3) addition is characterized by moderate NH(3) flow rates, pressures, and consumption of reactants, by reduced parasitic growth and no NH(4)Cl formation. Carbon addition to the ammonia results in growth of thicker layers at increased transport rate and in single crystals even at Ga super saturations, which would normally be too high for single crystalline growth. (C) 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
The role of carbon in transport processes during PVT growth of bulk GaN / H. J., Rost; D., Siche; D., Gogova; M., Albrecht; K., Jacobs; Fornari, Roberto. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 6:(2009), pp. 1484-1487. [10.1002/pssc.200881523]
The role of carbon in transport processes during PVT growth of bulk GaN
H. J. Rost;D. Siche;D. Gogova;M. Albrecht;K. Jacobs;FORNARI, Roberto
2009-01-01
Abstract
Thick GaN layers were deposited by the reaction of gallium with ammonia. The Physical Vapour Transport (PVT) process with NH(3) addition is characterized by moderate NH(3) flow rates, pressures, and consumption of reactants, by reduced parasitic growth and no NH(4)Cl formation. Carbon addition to the ammonia results in growth of thicker layers at increased transport rate and in single crystals even at Ga super saturations, which would normally be too high for single crystalline growth. (C) 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
The role of carbon in transport processes during PVT growth of bulk GaN / H. J., Rost; D., Siche; D., Gogova; M., Albrecht; K., Jacobs; Fornari, Roberto. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 6:(2009), pp. 1484-1487. [10.1002/pssc.200881523]
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2683984
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
