Effects of Melt Composition On Deep Electronic States and Compensation Ratios In N-type Lec Gallium-arsenide / R. FORNARI;E. GOMBIA;R. MOSCA. - In: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. - ISSN 0361-5235. - 18(1989), pp. 151-155. [10.1007/BF02657401]

Effects of Melt Composition On Deep Electronic States and Compensation Ratios In N-type Lec Gallium-arsenide

FORNARI, Roberto;
1989

File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11381/2683936
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 9
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 10
social impact