Electrooptical Properties of Ingaas Layers Grown By Hydride Vapor-phase Epitaxy / G., A., C., B., Fornari, R., C., P., J., O., J., P.. - In: CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. - ISSN 0232-1300. - 25:(1990), pp. 25-30. [10.1002/crat.2170250107]
Electrooptical Properties of Ingaas Layers Grown By Hydride Vapor-phase Epitaxy
FORNARI, Roberto;
1990-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


