Crystallization of 640 kg mc-silicon ingots under traveling magnetic field by using a heater-magnet module / C., Kudla; A. T., Blumenau; F., Buellesfeld; N., Dropka; C., Frank Rotsch; F., Kiessling; O., Klein; P., Lange; W., Miller; U., Rehse; U., Sahr; M., Schellhorn; G., Weidemann; M., Ziem; G., Bethin; Fornari, Roberto; M., Mueller; J., Sprekels; V., Trautmann; P., Rudolph. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 365:(2013), pp. 54-58. [10.1016/j.jcrysgro.2012.11.049]

Crystallization of 640 kg mc-silicon ingots under traveling magnetic field by using a heater-magnet module

FORNARI, Roberto;
2013-01-01

2013
Crystallization of 640 kg mc-silicon ingots under traveling magnetic field by using a heater-magnet module / C., Kudla; A. T., Blumenau; F., Buellesfeld; N., Dropka; C., Frank Rotsch; F., Kiessling; O., Klein; P., Lange; W., Miller; U., Rehse; U., Sahr; M., Schellhorn; G., Weidemann; M., Ziem; G., Bethin; Fornari, Roberto; M., Mueller; J., Sprekels; V., Trautmann; P., Rudolph. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 365:(2013), pp. 54-58. [10.1016/j.jcrysgro.2012.11.049]
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