IRIS

Plasma enhanced growth of GaN single crystalline layers from Ga vapour / R., Zwierz; S., Golka; K., Kachel; D., Siche; Fornari, Roberto; P., Sennikov; A., Vodopyanov; A. V., Pipa. - In: CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. - ISSN 0232-1300. - 48:(2013), pp. 186-192. [10.1002/crat.201200481]

Plasma enhanced growth of GaN single crystalline layers from Ga vapour

FORNARI, Roberto;
2013-01-01
2013
Plasma enhanced growth of GaN single crystalline layers from Ga vapour / R., Zwierz; S., Golka; K., Kachel; D., Siche; Fornari, Roberto; P., Sennikov; A., Vodopyanov; A. V., Pipa. - In: CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY. - ISSN 0232-1300. - 48:(2013), pp. 186-192. [10.1002/crat.201200481]
1.1 Articolo su rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2674470
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 5
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 5
social impact