Analysis of the hole transport through valence band states in heavy Al doped 4H-SiC by ion implantation / Parisini, Antonella; R., Nipoti. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 114:(2013), pp. 243703-1-243703-16. [10.1063/1.4852515]
Analysis of the hole transport through valence band states in heavy Al doped 4H-SiC by ion implantation
PARISINI, Antonella;
2013-01-01
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