Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification / Menozzi, Roberto. - (2000), pp. 21-24. (Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide & Other Semiconductors Application Symp. (GAAS) tenutosi a Paris (France) nel 2-3 Oct. 2000).

Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification

MENOZZI, Roberto
2000-01-01

2000
Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification / Menozzi, Roberto. - (2000), pp. 21-24. (Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide & Other Semiconductors Application Symp. (GAAS) tenutosi a Paris (France) nel 2-3 Oct. 2000).
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