Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification / Menozzi, Roberto. - (2000), pp. 21-24. ( Gallium Arsenide & Other Semiconductors Application Symp. (GAAS) Paris (France) 2-3 Oct. 2000).
Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification
MENOZZI, Roberto
2000-01-01
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