Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification / R. Menozzi. - (2000), pp. 21-24. ((Intervento presentato al convegno Gallium Arsenide & Other Semiconductors Application Symp. (GAAS) tenutosi a Paris (France) nel 2-3 Oct. 2000.

Breakdown and high-field reliability issues in heterojunction FETs for microwave power amplification

MENOZZI, Roberto
2000

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11381/2300690
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