Investigation of the hot-carrier degradation in Si/SiGe HBT’s by intrinsic low frequency noise source modeling / M., Borgarino; J., Kuchenbecker; J. G., Tartarin; L., Bary; T., Kovacic; R., Plana; Menozzi, Roberto; F., Fantini; J., Graffeuil. - (2001), pp. 15-20. (Intervento presentato al convegno 2001 GaAs Reliability Workshop tenutosi a Baltimore, MD (USA) nel 21 Oct. 2001).
Investigation of the hot-carrier degradation in Si/SiGe HBT’s by intrinsic low frequency noise source modeling
MENOZZI, Roberto;
2001-01-01
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