Investigation of the hot-carrier degradation in Si/SiGe HBT’s by intrinsic low frequency noise source modeling / M., B., J., K., J. G., T., L., B., T., K., R., P., Menozzi, R., F., F., J., G.. - (2001), pp. 15-20. (2001 GaAs Reliability Workshop Baltimore, MD (USA) 21 Oct. 2001).

Investigation of the hot-carrier degradation in Si/SiGe HBT’s by intrinsic low frequency noise source modeling

MENOZZI, Roberto;
2001-01-01

2001
9780790800660
Investigation of the hot-carrier degradation in Si/SiGe HBT’s by intrinsic low frequency noise source modeling / M., B., J., K., J. G., T., L., B., T., K., R., P., Menozzi, R., F., F., J., G.. - (2001), pp. 15-20. (2001 GaAs Reliability Workshop Baltimore, MD (USA) 21 Oct. 2001).
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