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GaN vertical n-p junctions prepared by Si ion implantation / Kocan, M; UMANA MEMBRENO, G. A.; Recht, F; Baharin, A; Fichtenbaum, N. A.; Mccarthy, L; Keller, S; Menozzi, Roberto; Mishra, U. K.; Parish, G; Nener, B. D.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 5:(2008), pp. 1938-1940. [10.1002/pssc.200778496]

GaN vertical n-p junctions prepared by Si ion implantation

MENOZZI, Roberto;
2008-01-01
2008
GaN vertical n-p junctions prepared by Si ion implantation / Kocan, M; UMANA MEMBRENO, G. A.; Recht, F; Baharin, A; Fichtenbaum, N. A.; Mccarthy, L; Keller, S; Menozzi, Roberto; Mishra, U. K.; Parish, G; Nener, B. D.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. C, CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. - ISSN 1862-6351. - 5:(2008), pp. 1938-1940. [10.1002/pssc.200778496]
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