Measurement of the source and drain resistances of AlGaN/GaN HEMTs and their temperature dependence / Menozzi, Roberto; G. A., UMANA MEMBRENO; B. D., Nener; G., Parish; L., Faraone; U., Mishra. - (2007), pp. 229-232. (Intervento presentato al convegno 31st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2007) tenutosi a Venezia nel 20-23 Maggio 2007).
Measurement of the source and drain resistances of AlGaN/GaN HEMTs and their temperature dependence
MENOZZI, Roberto;
2007-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.