Electrical and photoelectrical properties of a GaAs-based n-i-p structure, grown at low temperature by MOVPE, using TBAs, for photovoltaic applications / BEGOTTI M; GHEZZI C; LONGO M; MAGNANINI R; PARISINI A; TARRICONE L; VANTAGGIO R; GOMBIA E; MOSCA R; COVA P.; DELMONTE N; MAZZER M; BARNHAM K. - (2004), pp. 81-81. ((Intervento presentato al convegno XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia tenutosi a Roma (Italy) nel Sep. 24-26, 2004.

Electrical and photoelectrical properties of a GaAs-based n-i-p structure, grown at low temperature by MOVPE, using TBAs, for photovoltaic applications

PARISINI, Antonella;COVA, Paolo;DELMONTE, Nicola;
2004

Electrical and photoelectrical properties of a GaAs-based n-i-p structure, grown at low temperature by MOVPE, using TBAs, for photovoltaic applications / BEGOTTI M; GHEZZI C; LONGO M; MAGNANINI R; PARISINI A; TARRICONE L; VANTAGGIO R; GOMBIA E; MOSCA R; COVA P.; DELMONTE N; MAZZER M; BARNHAM K. - (2004), pp. 81-81. ((Intervento presentato al convegno XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia tenutosi a Roma (Italy) nel Sep. 24-26, 2004.
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