Electrical and photoelectrical properties of a GaAs-based n-i-p structure, grown at low temperature by MOVPE, using TBAs, for photovoltaic applications / Begotti, M; Ghezzi, C; Longo, M; Magnanini, R; Parisini, Antonella; Tarricone, L; Vantaggio, R; Gombia, E; Mosca, R; Cova, Paolo; Delmonte, Nicola; Mazzer, M; Barnham, K.. - (2004), pp. 81-81. (Intervento presentato al convegno XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia tenutosi a Roma (Italy) nel Sep. 24-26, 2004).
Electrical and photoelectrical properties of a GaAs-based n-i-p structure, grown at low temperature by MOVPE, using TBAs, for photovoltaic applications
PARISINI, Antonella;COVA, Paolo;DELMONTE, Nicola;
2004-01-01
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