A study of acceptor levels induced by intrinsic (carbon) and extrinsic (zinc) doping in GaAs epitaxial layers, MOVPE-grown by liquid metalorganic sources / Begotti, M., Ghezzi, C., Longo, M., Magnanini, R., Parisini, A., Pernechele, C., Tarricone, L., Vantaggio, R., Gombia, E., Mosca, R., Cova, P., Delmonte, N.. - (2004), pp. 82-82. (XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia Roma (Italy) Sep. 24-26, 2004).

A study of acceptor levels induced by intrinsic (carbon) and extrinsic (zinc) doping in GaAs epitaxial layers, MOVPE-grown by liquid metalorganic sources

PARISINI, Antonella;COVA, Paolo;DELMONTE, Nicola
2004-01-01

2004
A study of acceptor levels induced by intrinsic (carbon) and extrinsic (zinc) doping in GaAs epitaxial layers, MOVPE-grown by liquid metalorganic sources / Begotti, M., Ghezzi, C., Longo, M., Magnanini, R., Parisini, A., Pernechele, C., Tarricone, L., Vantaggio, R., Gombia, E., Mosca, R., Cova, P., Delmonte, N.. - (2004), pp. 82-82. (XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia Roma (Italy) Sep. 24-26, 2004).
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