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A study of acceptor levels induced by intrinsic (carbon) and extrinsic (zinc) doping in GaAs epitaxial layers, MOVPE-grown by liquid metalorganic sources / Begotti, M; Ghezzi, C; Longo, M; Magnanini, R; Parisini, Antonella; Pernechele, C; Tarricone, L; Vantaggio, R; Gombia, E; Mosca, R; Cova, Paolo; Delmonte, Nicola. - (2004), pp. 82-82. (Intervento presentato al convegno XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia tenutosi a Roma (Italy) nel Sep. 24-26, 2004).

A study of acceptor levels induced by intrinsic (carbon) and extrinsic (zinc) doping in GaAs epitaxial layers, MOVPE-grown by liquid metalorganic sources

PARISINI, Antonella;COVA, Paolo;DELMONTE, Nicola
2004-01-01
2004
A study of acceptor levels induced by intrinsic (carbon) and extrinsic (zinc) doping in GaAs epitaxial layers, MOVPE-grown by liquid metalorganic sources / Begotti, M; Ghezzi, C; Longo, M; Magnanini, R; Parisini, Antonella; Pernechele, C; Tarricone, L; Vantaggio, R; Gombia, E; Mosca, R; Cova, Paolo; Delmonte, Nicola. - (2004), pp. 82-82. (Intervento presentato al convegno XXXIV Congresso Nazionale dell'Associazione Italiana di Cristallografia tenutosi a Roma (Italy) nel Sep. 24-26, 2004).
4.2 Abstract in Atti di Convegno
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