Characterization of deep levels and simulation of the effect of lifetime reduction in proton irradiated Si p-i-n diodes / E., Gombia; R., Mosca; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; M., Portesine; P., Pampili; P. E., Zani; M., Bianconi. - (2002), pp. 1-1. (Intervento presentato al convegno III Silicon Workshop tenutosi a Genova nel 6-8 febbraio 2002).
Characterization of deep levels and simulation of the effect of lifetime reduction in proton irradiated Si p-i-n diodes
COVA, Paolo;MENOZZI, Roberto;
2002-01-01
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