Characterization of deep levels and simulation of the effect of lifetime reduction in proton irradiated Si p-i-n diodes / E., G., R., M., Cova, P., Menozzi, R., M., P., P., P., P. E., Z., M., B.. - (2002), pp. 1-1. (III Silicon Workshop Genova 6-8 febbraio 2002).
Characterization of deep levels and simulation of the effect of lifetime reduction in proton irradiated Si p-i-n diodes
COVA, Paolo;MENOZZI, Roberto;
2002-01-01
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