The influence of the DX centre on C-V and I-V characteristics of Schottky barriers in n-type AlGaAs / Ghezzi, Carlo; E., Gombia; R., Mosca. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 6:(1991), pp. B31-B33.

The influence of the DX centre on C-V and I-V characteristics of Schottky barriers in n-type AlGaAs

GHEZZI, Carlo;
1991-01-01

1991
The influence of the DX centre on C-V and I-V characteristics of Schottky barriers in n-type AlGaAs / Ghezzi, Carlo; E., Gombia; R., Mosca. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - 6:(1991), pp. B31-B33.
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