Characterization of hole transport phenomena in AlGaAs/InGaAs HEMT's biased in impact-ionization regime / G., Meneghesso; A., Di Carlo; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; C., Canali; E., Zanoni. - STAMPA. - 98TH8373:(1998), pp. 36-37. (Intervento presentato al convegno Proc. of Device Research Conference DRC’98 tenutosi a Charlottesville, Virginia nel 22-24 June, 1998).
Characterization of hole transport phenomena in AlGaAs/InGaAs HEMT's biased in impact-ionization regime
MANFREDI, Manfredo;PAVESI, Maura;
1998-01-01
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