Characterization of hole transport phenomena in AlGaAs/InGaAs HEMT's biased in impact-ionization regime / G., M., A., D.C., Manfredi, M., Pavesi, M., C., C., E., Z.. - STAMPA. - 98TH8373:(1998), pp. 36-37. (Proc. of Device Research Conference DRC’98 Charlottesville, Virginia 22-24 June, 1998).

Characterization of hole transport phenomena in AlGaAs/InGaAs HEMT's biased in impact-ionization regime

MANFREDI, Manfredo;PAVESI, Maura;
1998-01-01

1998
0780349954
Characterization of hole transport phenomena in AlGaAs/InGaAs HEMT's biased in impact-ionization regime / G., M., A., D.C., Manfredi, M., Pavesi, M., C., C., E., Z.. - STAMPA. - 98TH8373:(1998), pp. 36-37. (Proc. of Device Research Conference DRC’98 Charlottesville, Virginia 22-24 June, 1998).
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