On the correlation between drain-gate breakdown voltage and hot-electron reliability in InP HEMT's / Menozzi, Roberto; Borgarino, M.; VAN DER ZANDEN, K.; Schreurs, D.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 20:(1999), pp. 152-154.

On the correlation between drain-gate breakdown voltage and hot-electron reliability in InP HEMT's

MENOZZI, Roberto;
1999

On the correlation between drain-gate breakdown voltage and hot-electron reliability in InP HEMT's / Menozzi, Roberto; Borgarino, M.; VAN DER ZANDEN, K.; Schreurs, D.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 20:(1999), pp. 152-154.
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