Electrical investigation of carbon self-doped GaAs layers grown by MOVPE from TMGa and TBAs / Ghezzi, C., M., L., R., M., A., P., L., T., A., C., C., B., E., G.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. - ISSN 0031-8957. - (c) 3:(2003), pp. 835-839.
Electrical investigation of carbon self-doped GaAs layers grown by MOVPE from TMGa and TBAs
GHEZZI, Carlo;
2003-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


