Study of the lattice strain relaxation in the Ga1-xAlxSb/GaSb system by X-ray topography and high resolution diffraction / Bocchi, C., Germini, F., Franchi, S., Baraldi, A., Gennari, S., Magnanini, R., Drigo, A.V.. - In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE. MATERIALS IN ELECTRONICS. - ISSN 0957-4522. - 10:(1999), pp. 185-190.

Study of the lattice strain relaxation in the Ga1-xAlxSb/GaSb system by X-ray topography and high resolution diffraction

BARALDI, Andrea;
1999-01-01

1999
Study of the lattice strain relaxation in the Ga1-xAlxSb/GaSb system by X-ray topography and high resolution diffraction / Bocchi, C., Germini, F., Franchi, S., Baraldi, A., Gennari, S., Magnanini, R., Drigo, A.V.. - In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE. MATERIALS IN ELECTRONICS. - ISSN 0957-4522. - 10:(1999), pp. 185-190.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1449092
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 4
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 4
social impact