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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
3× 1018 - 1 × 1019 cm -3 Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Annealing Time Effect 1-gen-2020 Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Canino, Mariaconcetta; Sanmartin, Michele; Alfieri, Giovanni
Activation energy for the post implantation annealing of 1019cm-3 and 1020 cm-3 ion implanted al in 4H SiC 1-gen-2019 Nipoti, R.; Canino, M.; Sapienza, Sergio; Bellettato, M.; Sozzi, G.; Alfieri, G.
Aging response in Selective Laser Melted AlSi10Mg alloy as function of distance from the substrate plate 1-gen-2021 Cerri, Emanuela; Ghio, Emanuele
Effect of distance along the built axis on mechanical properties and microstructure in Al10SiMg SLM alloy 1-gen-2021 Cerri, E.; Ghio, E.
Friction stir welded AISI 304 metal sheets for application in food implants’ 1-gen-2021 Cerri, Emanuela; Pirondi, Alessandro; jean pierr, Bergmann
Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time 1-gen-2020 Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike
P-type Doping of Epitaxial 3C-SiC Layers on Silicon (001) 1-gen-2009 G., Wagner; M., Schmidbauer; K., Irmscher; P., Tanner; Fornari, Roberto
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