Electronic structure and surface band bending of Sn-doped β-Ga2 O3 thin films studied by x-ray photoemission spectroscopy and ab initio calculations / Zhang, J.; Yang, Z.; Kuang, S.; Zhang, Z.; Wei, S.; Willis, J.; Lee, T. L.; Mazzolini, P.; Bierwagen, O.; Chen, S.; Chen, Z.; Chen, D.; Qi, H.; Scanlon, D.; Zhang, K. H. L.. - In: PHYSICAL REVIEW. B. - ISSN 2469-9950. - 110:11(2024). [10.1103/PhysRevB.110.115120]
Electronic structure and surface band bending of Sn-doped β-Ga2 O3 thin films studied by x-ray photoemission spectroscopy and ab initio calculations
Mazzolini P.;
2024-01-01
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