Toward controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to β-Ga2O3 / Ardenghi, A.; Bierwagen, O.; Falkenstein, A.; Hoffmann, G.; L??hnemann, J.; Martin, M.; Mazzolini, P.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 121:4(2022), p. 042109. [10.1063/5.0087987]

Toward controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to β-Ga2O3

P. Mazzolini
2022-01-01

2022
Toward controllable Si-doping in oxide molecular beam epitaxy using a solid SiO source: Application to β-Ga2O3 / Ardenghi, A.; Bierwagen, O.; Falkenstein, A.; Hoffmann, G.; L??hnemann, J.; Martin, M.; Mazzolini, P.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 121:4(2022), p. 042109. [10.1063/5.0087987]
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