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EnglishCuInSe2/CdS thin film solar cells with an efficiency over 8% bave been prepared with a method in which all the layers are deposited by sputtering. The device quality polycrystalline CuInSe2 films are obtained by means of a reaction of Cu and In elemental layers in a Se-atmosphere at a temperature of 400-450°C.
| Titolo: | CuInSe2/CdS Thin Film Solar Cells by Sputtering and Rapid Thermal Annealing in a Selenium Atmosphere |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1990 |
| Abstract: | CuInSe2/CdS thin film solar cells with an efficiency over 8% bave been prepared with a method in which all the layers are deposited by sputtering. The device quality polycrystalline CuInSe2 films are obtained by means of a reaction of Cu and In elemental layers in a Se-atmosphere at a temperature of 400-450°C. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11381/2469436 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1b Atto convegno Volume |
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