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EnglishCuInSe2/CdS thin film solar cells with an efficiency over 8% bave been prepared with a method in which all the layers are deposited by sputtering. The device quality polycrystalline CuInSe2 films are obtained by means of a reaction of Cu and In elemental layers in a Se-atmosphere at a temperature of 400-450°C.
CuInSe2/CdS Thin Film Solar Cells by Sputtering and Rapid Thermal Annealing in a Selenium Atmosphere / Romeo N; Bosio A; Canevari V; Zanotti L. - STAMPA. - II(1990), pp. 58-63. ((Intervento presentato al convegno 8th International Conference on Ternary and Multinary Compounds tenutosi a Kishinev nel September 11-14, 1990.
| Titolo: | CuInSe2/CdS Thin Film Solar Cells by Sputtering and Rapid Thermal Annealing in a Selenium Atmosphere | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1990 | |
| Citazione: | CuInSe2/CdS Thin Film Solar Cells by Sputtering and Rapid Thermal Annealing in a Selenium Atmosphere / Romeo N; Bosio A; Canevari V; Zanotti L. - STAMPA. - II(1990), pp. 58-63. ((Intervento presentato al convegno 8th International Conference on Ternary and Multinary Compounds tenutosi a Kishinev nel September 11-14, 1990. | |
| Abstract: | CuInSe2/CdS thin film solar cells with an efficiency over 8% bave been prepared with a method in which all the layers are deposited by sputtering. The device quality polycrystalline CuInSe2 films are obtained by means of a reaction of Cu and In elemental layers in a Se-atmosphere at a temperature of 400-450°C. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11381/2469436 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1b Atto convegno Volume |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
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