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Two-inch-diameter CdZnTe crystals doped with indium were grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman technique. The crystals showed large single crystalline yield and low etch pit density. The background impurity content was dominated by boron in concentration lower than 1 ppm. High resistivity was obtained and a procedure for contact preparation was developed. The mobility-lifetime product of the material was determined by both X-ray irradiation and photocurrent spectroscopy. The X-ray detector prepared with this material showed good spectroscopic performance.
Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material / A., Zappettini; M., Zha; L., Marchini; D., Calestani; R., Mosca; E., Gombia; L., Zanotti; M., Zanichelli; Pavesi, Maura; N., Auricchio; E., Caroli. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - 56:4(2009), pp. 1743-1746. [10.1109/TNS.2009.2016964]
Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material
A. Zappettini;M. Zha;L. Marchini;D. Calestani;R. Mosca;E. Gombia;L. Zanotti;M. Zanichelli;PAVESI, Maura;N. Auricchio;E. Caroli
2009-01-01
Abstract
Two-inch-diameter CdZnTe crystals doped with indium were grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman technique. The crystals showed large single crystalline yield and low etch pit density. The background impurity content was dominated by boron in concentration lower than 1 ppm. High resistivity was obtained and a procedure for contact preparation was developed. The mobility-lifetime product of the material was determined by both X-ray irradiation and photocurrent spectroscopy. The X-ray detector prepared with this material showed good spectroscopic performance.
Boron Oxide Encapsulated Vertical Bridgman Grown CdZnTe Crystals as X-ray Detector Material / A., Zappettini; M., Zha; L., Marchini; D., Calestani; R., Mosca; E., Gombia; L., Zanotti; M., Zanichelli; Pavesi, Maura; N., Auricchio; E., Caroli. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - 56:4(2009), pp. 1743-1746. [10.1109/TNS.2009.2016964]
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2280133
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
