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This paper presents a detailed study on hot-carrier induced luminescence and degradation of BULK and partially depleted SOI MOSFETs fabricated in the same wafer run, hence with directly comparable device parameters. In particular, we analyze the bias and energy (E) dependence of emission in virgin transistors, and its correlation with hot-carrier induced degradation.
A comparative study of hot-carrier induced light emission and degradation in bulk and SOI MOSFETs / L., Selmi; Pavesi, Maura; H. S., Wong; A., Acovic; E., Sangiorgi. - ELETTRONICO. - 5248823:(1995), pp. 49-52. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting 1995, IEDM '95 tenutosi a Washington, DC, USA nel 10-13 Dec 1995) [10.1109/IEDM.1995.497180].
A comparative study of hot-carrier induced light emission and degradation in bulk and SOI MOSFETs
L. Selmi;PAVESI, Maura;H. S. Wong;A. Acovic;E. Sangiorgi
1995-01-01
Abstract
This paper presents a detailed study on hot-carrier induced luminescence and degradation of BULK and partially depleted SOI MOSFETs fabricated in the same wafer run, hence with directly comparable device parameters. In particular, we analyze the bias and energy (E) dependence of emission in virgin transistors, and its correlation with hot-carrier induced degradation.
A comparative study of hot-carrier induced light emission and degradation in bulk and SOI MOSFETs / L., Selmi; Pavesi, Maura; H. S., Wong; A., Acovic; E., Sangiorgi. - ELETTRONICO. - 5248823:(1995), pp. 49-52. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting 1995, IEDM '95 tenutosi a Washington, DC, USA nel 10-13 Dec 1995) [10.1109/IEDM.1995.497180].
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
