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This paper addresses the problem of the origin of majority and minority carriers' substrate currents in MOS devices. In particular, we present a critical analysis of published and original tunneling experiments by means of a novel, physically based model of impact ionization and hot carrier photon emission and re-absorption in the substrate. The model explains some relevant features of substrate minority carrier currents in saturated nMOSFETs, and provides a better understanding of the origin of substrate currents in tunneling MOS capacitors.
Impact ionization and photon emission in MOS capacitors and FETs / P., P., Pavesi, M., P. L., R., L., S., A., D.S., A., A., F., W., E., S.. - ELETTRONICO. - 00CH37138:(2000), pp. 97-100. (International Electron Devices Meeting - IEDM'00 San Francisco, CA, USA 10-13 December 2000) [10.1109/IEDM.2000.904267].
Impact ionization and photon emission in MOS capacitors and FETs
P. Palestri;PAVESI, Maura;P. L. Rigolli;L. Selmi;A. Dalla Serra;A. Abramo;F. Widdershoven;E. Sangiorgi
2000-01-01
Abstract
This paper addresses the problem of the origin of majority and minority carriers' substrate currents in MOS devices. In particular, we present a critical analysis of published and original tunneling experiments by means of a novel, physically based model of impact ionization and hot carrier photon emission and re-absorption in the substrate. The model explains some relevant features of substrate minority carrier currents in saturated nMOSFETs, and provides a better understanding of the origin of substrate currents in tunneling MOS capacitors.
Impact ionization and photon emission in MOS capacitors and FETs / P., P., Pavesi, M., P. L., R., L., S., A., D.S., A., A., F., W., E., S.. - ELETTRONICO. - 00CH37138:(2000), pp. 97-100. (International Electron Devices Meeting - IEDM'00 San Francisco, CA, USA 10-13 December 2000) [10.1109/IEDM.2000.904267].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1498123
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
