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In this work we report on a reliability study carried out over InGaN/GaN LEDs. Accelerated life tests have been carried out at various biasing current levels and at various temperature. Failure modes have been identified and correlated with the instability of Magnesium as dopant in the p-layer and with the worsening of the efficiency of the quantum well in active layer.
Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels / G., Meneghesso; S., Levada; E., Zanoni; G., Salviati; N., Armani; F., Rossi; Pavesi, Maura; M., Manfredi; A., Cavallini; A., Castaldini; S., Du; I., Eliashevich. - ELETTRONICO. - 04CH37533:(2004), pp. 474-478. (Intervento presentato al convegno International Reliability Physics Symposium IRPS 2004 tenutosi a Phoenix, AZ, USA nel 25–29 april 2004) [10.1109/RELPHY.2004.1315374].
Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels
In this work we report on a reliability study carried out over InGaN/GaN LEDs. Accelerated life tests have been carried out at various biasing current levels and at various temperature. Failure modes have been identified and correlated with the instability of Magnesium as dopant in the p-layer and with the worsening of the efficiency of the quantum well in active layer.
Failure mechanisms of GaN-based LEDs related with instabilities in doping profile and deep levels / G., Meneghesso; S., Levada; E., Zanoni; G., Salviati; N., Armani; F., Rossi; Pavesi, Maura; M., Manfredi; A., Cavallini; A., Castaldini; S., Du; I., Eliashevich. - ELETTRONICO. - 04CH37533:(2004), pp. 474-478. (Intervento presentato al convegno International Reliability Physics Symposium IRPS 2004 tenutosi a Phoenix, AZ, USA nel 25–29 april 2004) [10.1109/RELPHY.2004.1315374].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/1498105
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
