Physical modeling of silicon microstrip detectors: influence of the electrode geometry on critical electric fields / Passeri, D; Ciampolini, Paolo; Scorzoni, A; Bilei, Gm. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - 47:(2000), pp. 1468-1463.

Physical modeling of silicon microstrip detectors: influence of the electrode geometry on critical electric fields

CIAMPOLINI, Paolo;
2000-01-01

2000
Physical modeling of silicon microstrip detectors: influence of the electrode geometry on critical electric fields / Passeri, D; Ciampolini, Paolo; Scorzoni, A; Bilei, Gm. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - 47:(2000), pp. 1468-1463.
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