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Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time
2020-01-01 Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike
P-type Doping of Epitaxial 3C-SiC Layers on Silicon (001)
2009-01-01 G., Wagner; M., Schmidbauer; K., Irmscher; P., Tanner; Fornari, Roberto
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Ion Implanted Phosphorous for 4H-SiC VDMOSFETs Source Regions: Effect of the Post Implantation Annealing Time | 1-gen-2020 | Nipoti, Roberta; Parisini, Antonella; Boldrini, Virginia; Vantaggio, Salvatore; Gorni, Marco; Canino, Mariaconcetta; Pizzochero, Giulio; Camarda, Massimo; Woerle, Judith; Grossner, Ulrike | |
P-type Doping of Epitaxial 3C-SiC Layers on Silicon (001) | 1-gen-2009 | G., Wagner; M., Schmidbauer; K., Irmscher; P., Tanner; Fornari, Roberto |
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