Simulazioni elettrotermiche di AlGaN/GaN Hemt per la determinazione delle temperature di canale e l'influenza della retroazione termica. Simulazioni a livello fisico e misure in condizioni realistiche di Diodi PiN: caratterizzazione del fenomeno del Breakdown e del reverse recovery in dispositivi veloci. Progettazione di un convertitore di frequenza per altissime potenze.
Dispositivi e circuiti elettronici di potenza: modelli e caratterizzazione sperimentale / Bertoluzza, F.. - (2012).
Dispositivi e circuiti elettronici di potenza: modelli e caratterizzazione sperimentale
BERTOLUZZA, Fulvio
2012-01-01
Abstract
Simulazioni elettrotermiche di AlGaN/GaN Hemt per la determinazione delle temperature di canale e l'influenza della retroazione termica. Simulazioni a livello fisico e misure in condizioni realistiche di Diodi PiN: caratterizzazione del fenomeno del Breakdown e del reverse recovery in dispositivi veloci. Progettazione di un convertitore di frequenza per altissime potenze.File in questo prodotto:
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