Erratum: A comparative analysis of substrate current generation mechanisms in tunneling MOS capacitors (IEEE Electron Devices (2002) 49 (1427-1435)) / Palestri, P., Serra, A.D., Selmi, L., Pavesi, M., Rigolli, P.L., Abramo, A., Widdershoven, F., Sangiorgi, E.. - 49:(2002), pp. 1844-1844.

Erratum: A comparative analysis of substrate current generation mechanisms in tunneling MOS capacitors (IEEE Electron Devices (2002) 49 (1427-1435))

Pavesi M.
Membro del Collaboration Group
;
2002-01-01

2002
Erratum: A comparative analysis of substrate current generation mechanisms in tunneling MOS capacitors (IEEE Electron Devices (2002) 49 (1427-1435)) / Palestri, P., Serra, A.D., Selmi, L., Pavesi, M., Rigolli, P.L., Abramo, A., Widdershoven, F., Sangiorgi, E.. - 49:(2002), pp. 1844-1844.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11381/2938971
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact