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Structural properties of Si-doped β-Ga2O3layers grown by MOVPE / Gogova, D.; Wagner, G.; Baldini, M.; Schmidbauer, M.; Irmscher, K.; Schewski, R.; Galazka, Z.; Albrecht, M.; Fornari, Roberto. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 401:(2014), pp. 665-669. [10.1016/j.jcrysgro.2013.11.056]

Structural properties of Si-doped β-Ga2O3layers grown by MOVPE

FORNARI, Roberto
2014-01-01
2014
Structural properties of Si-doped β-Ga2O3layers grown by MOVPE / Gogova, D.; Wagner, G.; Baldini, M.; Schmidbauer, M.; Irmscher, K.; Schewski, R.; Galazka, Z.; Albrecht, M.; Fornari, Roberto. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - 401:(2014), pp. 665-669. [10.1016/j.jcrysgro.2013.11.056]
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