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Electroluminescence and gate current components of InAlAs/InGaAs HFETs 1-gen-1994 G., Berthold; E., Zanoni; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; C., Canali; J. A., del Alamo; S., Bahl
Impact ionization and light emission in InAlAs/InGaAs heterostructure field-effect transistors 1-gen-1995 G., Berthold; E., Zanoni; C., Canali; Pavesi, Maura; M., Pecchini; Manfredi, Manfredo; S. R., Bahl; J. A., del Alamo
Effects of channel quantization and temperature on off-state and on-state breakdown in composite channel and conventional InP-based HEMTs 1-gen-1996 G., Meneghesso; A., Mion; A., Neviani; M., Matloubian; J., Brown; M., Hafizi; T., Liu; C., Canali; Pavesi, Maura; Manfredi, Manfredo; E., Zanoni
Anomalous impact ionization gate current in high breakdown InP-based HEMTs 1-gen-1996 G., Meneghesso; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; U., Auer; P., Ellrodt; W., Prost; F. J., Tegude; C., Canali; E., Zanoni
Hot carrier effects in AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors: failure mechanisms induced by hot carrier testing 1-gen-1997 G., Meneghesso; A., Mion; Y., Haddab; Pavesi, Maura; Manfredi, Manfredo; C., Canali; E., Zanoni
Electroluminescence analysis of multiplication effects in pseudomorphic HEMT's 1-gen-1998 G., Meneghesso; T., Grave; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; C., Canali; E., Zanoni
Characterization of hole transport phenomena in AlGaAs/InGaAs HEMT's biased in impact-ionization regime 1-gen-1998 G., Meneghesso; A., Di Carlo; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; C., Canali; E., Zanoni
Hot electron and DX center insensitivity of Al0.25Ga0.75As/GaAs HFET’s designed for microwave power applications 1-gen-1998 Menozzi, Roberto; Pavesi, Maura; Manfredi, Manfredo; C., Ghezzi; C., Lanzieri; M., Peroni; C., Canali
Evidence of substrate enhanced high energy tails in the distribution function of deep submicron MOSFETs by light emission neasurements 1-gen-1999 M., Pavesi; L., Selmi; Manfredi, Manfredo; E., Sangiorgi; M., Mastrapasqua; J., Bude
Evidence of substrate enhanced high energy tails in the distribution function of deep submicron MOSFETs by light emission measurements 1-gen-1999 Pavesi, Maura; L., Selmi; Manfredi, Manfredo; E., Sangiorgi; M., Mastrapasqua; J., Bude
Analysis of hot carrier transport in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT's by means of electroluminescence 1-gen-2000 G., Meneghesso; T., Grave; Manfredi, Manfredo; M., Pavesi; C., Canali; E., Zanoni
Analysis of hot carrier transport in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT’s by means of electroluminescence 1-gen-2000 G., Meneghesso; T., Grave; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; C., Canali; E., Zanoni
Characterization of GaN-based MESFETs by comparing electroluminescence, photoionization and cathodoluminescence spectroscopy 1-gen-2001 N., Armani; A., Chini; Manfredi, Manfredo; G., Meneghesso; Pavesi, Maura; V., Grillo; G., Salviati; E., Zanoni
Characterization of GaN-based MESFETs by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence Spectroscopy 1-gen-2002 N., Armani; Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura; V., Grillo; G., Salviati; A., Chini; G., Meneghesso; E., Zanoni
Spontaneous hot carrier photon emission rates in silicon: improved modeling and applications to metal oxide semiconductor devices 1-gen-2002 Pavesi, Maura; P. L., Rigolli; Manfredi, Manfredo; P., Palestri; L., Selmi
RELIABILITY ANALYSIS OF GAN BASED LEDS FOR SOLID STATE ILLUMINATION 1-gen-2003 G., Meneghesso; S., Levada; R., Pierobon; F., Rampazzo; E., Zanoni; A, Cavallini; Manfredi, Manfredo; S. DU AND I., Eliashevich
OPTICAL EVIDENCE OF AN ELECTROTHERMAL DEGRADATION OF INGAN BASED LIGHT EMITTING DIODES DURING ELECTRICAL STRESS 1-gen-2004 Salviati, M. P. A. V. E. S. I. G.; N., Armani; F., Rossi; Manfredi, Manfredo; G., Meneghesso; S., Levada; E., Zanoni; S., Du; I., Eliashevich
Optical characterization of radiative deep centres in 6H-SiC junction field effect transistors 1-gen-2004 Pavesi, Maura; Manfredi, Manfredo; P. L., Rigolli; N., Armani; G., Salviati
Analysis of the hot carrier luminescence in AlGaAs/GaAs power HFET's 1-gen-2004 Manfredi, Manfredo; Pavesi, Maura
Influence of long-term dc-aging and high power electron beam irradiation on the electrical and optical properties of InGaN LEDs 1-gen-2004 G., Salviati; F., Rossi; N., Armani; Pavesi, Maura; Manfredi, Manfredo; G., Meneghesso; E., Zanoni; A., Castaldini; A., Cavallini
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