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CdIn2S2Se2: a new semiconducting compound 1-gen-1986 C., Paracchini; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Investigation of (AlGa)As/GaAs quantum wells by optical and phototransport measurements 1-gen-1989 Ghezzi, Carlo; D., Martin; Parisini, Antonella; J. L., Staehli; Tarricone, Luciano
Investigation of GaAs/AlGaAs MQW structures by optical and photoelectrical measurements 1-gen-1990 J., Filipowicz; Tarricone, Luciano; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella
Exciton transitions and photovoltaic spectra in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 1-gen-1991 Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; J., Filipowicz; F., Genova
Photovoltage and photocurrent spectroscopy of p+-i-n+ GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures 1-gen-1992 Tarricone, Luciano; C., Arena; Parisini, Antonella; F., Genova
A study of the electrical properties controlled by residual acceptors in gallium antimonide 1-gen-1993 F., Meinardi; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Preparation of GaSb by molecular beam epitaxy and electrical and photoluminescence characterization 1-gen-1994 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Avanzini, V.; Allegri, P.
Preparation by MBE and study of GaSb-based structures 1-gen-1995 Baraldi, Andrea; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Gombia, E.; Magnanini, Renato; Mosca, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Allegri, P.; Avanzini, V.
Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE 1-gen-1995 Bosacchi, A.; Franchi, S.; Allegri, P.; Avanzini, V.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Optical absorption near the fundamental absorption edge in GaSb 1-gen-1995 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; B., Rotelli; Tarricone, Luciano; A., Bosacchi; S., Franchi
Electron mobility and physical magnetoresistance in n-type GaSb layers grown by molecular beam epitaxy 1-gen-1996 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlGaSb:DX center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Covucci, G.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Concentration dependence of optical absorption in Tellurium doped GaSb 1-gen-1997 Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Rotelli, B.; Tarricone, L.; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlxGa1-xSb: DX-center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, A; Colonna, F; Covucci, G; Ghezzi, C; Magnanini, R; Parisini, A; Tarricone, L; Bosacchi, A; Franchi, S
Photoionization cross-section of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb 1-gen-1998 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Zerbini, S.
A shallow state coexisting with the DX center in Te-doped AlGaSb 1-gen-1998 Baraldi, Andrea; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
EXPERIMENTAL EVIDENCE OF DELOCALIZED STATES IN RANDOM DIMER SUPERLATTICES 1-gen-1999 V., Bellani; R., Hey; L., Toni; Tarricone, Luciano; G. B., Parravicini; F., DOMINGUEZ ADAME; R., GOMEZ ALCALA
Is localization universal in low-dimensional disordered matter? 1-gen-1999 Bellani, V.; Diez, E.; Hey, R.; Parisini, Antonella; Parravicini, G. B.; Tarricone, L.; Toni, L.; DOMINGUEZ ADAME, F.
Occupancy level of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb 1-gen-1999 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Magnanini, Renato; Tarricone, Luciano; Franchi, S.
MOVPE GROWTH AND STUDY OF InP-BASED MATERIALS: OPPORTUNITIES AND CHALLENGES 1-gen-2000 S., Pellegrino; Tarricone, Luciano
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