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Layout dependence of CMOS latchup 1-gen-1988 Menozzi, Roberto; L., Selmi; E., Sangiorgi; G., Crisenza; T., Cavioni; B., Riccò
Latch-up testing in CMOS IC’s 1-gen-1990 Menozzi, Roberto; M., Lanzoni; C., Fiegna; E., Sangiorgi; B., Riccò
Effects of the interaction of neighboring structures on the latch-up behavior of C-MOS IC’s 1-gen-1991 Menozzi, Roberto; L., Selmi; E., Sangiorgi; B., Riccò
Numerical analysis of the gate voltage dependence of the series resistances and effective channel length in submicrometer GaAs MESFET’s 1-gen-1992 L., Selmi; Menozzi, Roberto; P., Gandolfi; B., Riccò
Design and Simulation of a Test Pattern for Three-Dimensional Latch-up Analysis 1-gen-1993 DE MUNARI, Ilaria; Menozzi, Roberto; F., Fantini
Experimental application of a novel technique to extract gate bias dependentsource and drain parasitic resistances of GaAs MESFETs 1-gen-1993 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; Selmi, L.
A Test Pattern For Three-Dimensional Latch-up Analysis 1-gen-1993 DE MUNARI, Ilaria; Menozzi, Roberto; M., Davoli; F., Fantini
Thermal stability of Al/AlGaAs and Al/GaAs/AlGaAs(MBE) Schottky barriers 1-gen-1993 A., Bosacchi; S., Franchi; E., Gombia; R., Mosca; F., Fantini; S., Franchi; Menozzi, Roberto
Light emission in commercial pseudomorphic HEMTs 1-gen-1994 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; Dallaglio, S; Manfredi, M; Conti, P; Fantini, F.
Light emission spectra of commercial pseudomorphic HEMTs biased in the impact ionization regime 1-gen-1994 Cova, Paolo; Chioato, E; Conti, P; Dallaglio, S; Fantini, F; Manfredi, M; Menozzi, Roberto; Necchi, R.
Electrical properties and thermal stability of MBE-grown Al/AlxGa1-xAs/Al0.25Ga0.75As Schottky barriers 1-gen-1994 A., Bosacchi; S., Franchi; E., Gombia; R., Mosca; F., Fantini; Menozzi, Roberto; S., Naccarella
Caratterizzazione di HEMT pseudomorfici in condizioni di ionizzazione da impatto e stress da hot-electron 1-gen-1995 Cova, Paolo; Fantini, F; Manfredi, M; Menozzi, Roberto
Hot electron degradation in pseudomorphic HEMTs 1-gen-1995 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Fantini, F.
Band to band recombination peak in the light emission of commercial pseudomorphic HEMTs 1-gen-1995 Menozzi, Roberto; Cova, Paolo; A., Pisano; F., Fantini; Pavesi, Maura; AND P., Conti
Numerical analysis of the extraction of barrier height and Richardson constant of Schottky contacts on AlGaAs/GaAs heterostructures 1-gen-1995 Menozzi, Roberto
On the temperature and hot electron induced degradation on AlGaAs/InGaAs PM-HEMTs 1-gen-1995 Meneghesso, G; DE BORTOLI, E; Cova, Paolo; Menozzi, Roberto
Hot electron degradation effects in Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As PHEMTs 1-gen-1995 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Lacey, D; Bayens, Y; Fantini, F.
Enhancement and degradation of drain current in pseudomorphic AlGaAs/InGaAs HEMT’s induced by hot-electrons 1-gen-1995 Canali, C; Cova, Paolo; DE BORTOLI, E; Fantini, F; Meneghesso, G; Menozzi, Roberto; Zanoni, E.
DC and RF instability of GaAs-based PHEMTs due to hot electrons 1-gen-1996 Menozzi, Roberto; Borgarino, M; Cova, Paolo; Baeyens, Y; Pavesi, Maura; Fantini, F.
Low frequency noise and pulse response of GaAs PHEMTs submitted to hot electron stress 1-gen-1996 Cova, Paolo; Menozzi, Roberto; Boselli, G; Fantini, F; Saysset, N; Labat, N; Touboul, A; Danto, Y.
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