IRIS

Sfoglia per Autore  MAGNANINI, Renato

Opzioni
Mostrati risultati da 1 a 20 di 35
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Preparation of GaSb by molecular beam epitaxy and electrical and photoluminescence characterization 1-gen-1994 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Avanzini, V.; Allegri, P.
Preparation by MBE and study of GaSb-based structures 1-gen-1995 Baraldi, Andrea; Bosacchi, A.; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Gombia, E.; Magnanini, Renato; Mosca, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Allegri, P.; Avanzini, V.
Electrical and photoluminescence properties of undoped GaSb prepared by MBE and Atomic Layer MBE 1-gen-1995 Bosacchi, A.; Franchi, S.; Allegri, P.; Avanzini, V.; Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Optical absorption near the fundamental absorption edge in GaSb 1-gen-1995 Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; B., Rotelli; Tarricone, Luciano; A., Bosacchi; S., Franchi
Electron mobility and physical magnetoresistance in n-type GaSb layers grown by molecular beam epitaxy 1-gen-1996 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, Renato; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Concentration dependence of optical absorption in Tellurium doped GaSb 1-gen-1997 Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Rotelli, B.; Tarricone, L.; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlGaSb:DX center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, Andrea; Colonna, F.; Covucci, G.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Bosacchi, A.; Franchi, S.
Control of the n-type doping in AlxGa1-xSb: DX-center behavior of the Te impurity 1-gen-1997 Baraldi, A; Colonna, F; Covucci, G; Ghezzi, C; Magnanini, R; Parisini, A; Tarricone, L; Bosacchi, A; Franchi, S
A shallow state coexisting with the DX center in Te-doped AlGaSb 1-gen-1998 Baraldi, Andrea; Franchi, S.; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano
Photoionization cross-section of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb 1-gen-1998 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Magnanini, R.; Parisini, Antonella; Tarricone, Luciano; Zerbini, S.
Interband optical properties of molecular-beam epitaxially grown GaAs1-xSbx on GaAs substrates 1-gen-1999 Ferrini, R.; Geddo, Mario; Guizzetti, G.; Patrini, M.; Franchi, S.; Bocchi, C.; Germini, F.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato
Optical study of Al0.4Ga0.6Sb/GaSb single quantum wells 1-gen-1999 Ferrini, R.; Geddo, Mario; Guizzetti, G.; Patrini, M.; Franchi, S.; Bocchi, C.; Mukhamedzhanov, E. K. H.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato
Thermoreflectance study of direct optical gap in epitaxial AlxGa1-xSb 1-gen-1999 V., Bellani; Geddo, Mario; G., Guizzetti; S., Franchi; Magnanini, Renato
Study of the lattice strain relaxation in the AlxGa1-xSb /GaSb system by X-ray topography and high resolution diffraction 1-gen-1999 C., Bocchi; F., Germini; S., Franchi; Baraldi, Andrea; S., Gennari; Magnanini, Renato; A. V., Drigo
Composition control of GaSbAs alloys 1-gen-1999 Bosacchi, A.; Franchi, S.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; Allegri, P.; Avanzini, V.; Berti, M.; DE SALVADOR, D.
Assessment of Vegard’s law validity in the Ga1-xAlxSb/GaSb epitaxial system 1-gen-1999 Germini, F.; Bocchi, C.; Ferrari, C.; Franchi, S.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; DE SALVADOR, D.; Berti, M.; Drigo, A. V.
Measurement of aluminum concentration in the Ga1-xAlxSb/GaSb epitaxial system 1-gen-1999 Bocchi, C.; Franchi, S.; Germini, F.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; DE SALVADOR, D.; Berti, M.; Drigo, A. V.
Occupancy level of the DX center in Te-doped AlxGa1-xSb 1-gen-1999 Baraldi, Andrea; Ghezzi, Carlo; Parisini, Antonella; Magnanini, Renato; Tarricone, Luciano; Franchi, S.
High-resolution x-ray diffraction, x-ray standing-wave, and transmission electron microscopy study of Sb-based single quantum well structures 1-gen-2000 Mukhamedzhanov, E. K. H.; Bocchi, C.; Franchi, S.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; Nasi, L.
Influence of As incorporation on the deviation from Vegard’s law in the Ga1-xAlxSb/GaSb system 1-gen-2001 Bocchi, C.; Franchi, S.; Germini, F.; Baraldi, Andrea; Magnanini, Renato; DE SALVADOR, D.; Berti, M.; Drigo, A. V.
Mostrati risultati da 1 a 20 di 35
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile